三星重新开发Z-NAND产品：性能提升最高达15倍，功耗降低最多80%

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据《电子时报》消息，三星电子在AI浪潮的推动下，宣布将重新开发其7年前推出的高端NAND Flash产品“Z-NAND”。此次重新开发，三星设定了新一代Z-NAND性能提升最高达15倍、功耗降低最多80%的雄心勃勃目标。

三星半导体存储业务执行副总裁透露，新一代Z-NAND将针对AI应用，特别是AI GPU进行深度优化，以进一步降低延迟。为此，三星引入了一项名为GPU-Initiated Direct Storage Access（GIDS）的新技术，该技术允许GPU直接访问Z-NAND数据，原理类似于微软的DirectStorage API。

作为对标英特尔Optane的产品，三星Z-NAND采用了介于传统DRAM与SSD之间的新型固态存储层，具有更低的系统延迟和更高性能。不同于英特尔基于全新架构的3D XPoint，三星早期的Z-NAND本质上是经过加速优化的SLC NAND SSD，它采用改良的48层V-NAND并以SLC模式运行，通过缩小页大小至2-4KB，实现了以更小的数据块进行读写，从而降低了延迟。

在当时，英特尔Optane和三星Z-NAND产品相较于传统SSD，速度提升了约6-10倍。若三星新一代技术能够达成既定目标，其性能将有望达到当前NVMe SSD的15倍，为AI应用提供更为强劲的支持。