三星与SK海力士加速最尖端NAND投资，满足AI存储需求

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据韩媒ZDNet Korea报道，三星电子和SK海力士终于要全面启动“最尖端”NAND投资。过去，由于两家公司长期将资源优先投向DRAM领域，导致NAND投资计划一再推迟。然而，随着AI产业的快速发展，存储需求急剧上升，促使三星与SK海力士加快了NAND领域的扩产步伐。

业内消息透露，三星与SK海力士均计划在今年第二季度推进最尖端NAND的“转换投资”。其中，三星已于2024年9月启动了280层V9 NAND的量产，但初期产能有限，月产仅约15000片晶圆。目前，三星正准备从第二季度开始扩大V9产能，重点部署在中国西安的X2产线，该产线目前主要生产6至7代旧款NAND。据讨论，此次转换投资规模约为月产4-5万片晶圆，V9 NAND预计从明年起正式进入量产加速阶段。

与此同时，SK海力士也在积极推进先进NAND的扩产计划。该公司计划在今年第二季度启动321层第9代NAND的转换投资，目标是在清州M15工厂确保月产约3万片晶圆的V9产能，相比目前约2万片晶圆的水平，扩产力度显著。业内人士认为，三星与SK海力士的这一系列动作，旨在为先进NAND需求的持续增长做好充分准备，过去两家公司设备投资几乎全部集中在DRAM领域，而现在NAND市场也正快速出现供应紧张的迹象。