英特尔联合软银推出Z-Angle Memory内存技术：功耗降低50%，单芯片容量达512GB

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在Intel Connection Japan 2026活动上，英特尔与软银旗下存储器企业Saimemory联合展示了名为"Z-Angle Memory"（ZAM）的下一代内存原型。这项由双方共同研发的技术采用创新的"Z-Angle"架构，通过错位互连拓扑结构实现芯片堆叠内部的对角线走线，突破了传统HBM内存垂直钻孔（TSV）的连接范式。

该技术核心团队由英特尔政府技术首席技术官Joshua Fryman与英特尔日本CEO大野诚领衔。据现场披露的技术资料显示，ZAM内存的功耗表现较现有方案降低40%-50%，同时单芯片存储容量最高可达512GB，这项突破性指标使其在性能层面具备与HBM正面竞争的实力。英特尔特别强调，ZAM架构通过物理层面的散热优化设计，有效解决了高密度堆叠内存的散热瓶颈问题。

合作方Saimemory作为软银2024年12月成立的存储器子公司，已于2025年6月全面启动运营，专注于先进存储产品的研发制造。此次技术展示标志着该公司在成立后首个重大技术突破，其与英特尔的深度合作模式也引发行业对存储器技术路线变革的关注。

从技术参数看，ZAM内存的512GB单芯片容量远超当前主流内存产品规格。这种超高性能定位预示其初期将主要应用于数据中心、AI计算等对内存带宽和容量有极致需求的场景。英特尔透露，该技术已完成实验室验证阶段，下一步将推进工程化样品的测试工作，具体量产时间表尚未公布。